晶圆28纳米制程是一种集成电路制造技术，它指的是在晶圆上制造出尺寸为28纳米的微小电子元件。晶圆制程是指将电子元件集成在硅晶圆上的过程，其中纳米级别的制程意味着制造出的电子元件具有非常小的尺寸。

晶圆28纳米制程是在晶圆制程技术的基础上进一步发展而来的。在这个制程中，使用的材料主要是硅，因为硅具有良好的电子性能和可加工性。制程的流程通常包括以下几个步骤：

1. 掩膜：在晶圆上涂覆一层光刻胶，并使用光刻技术将图案投射到光刻胶上，形成掩膜。

2. 曝光：将掩膜和晶圆放在曝光机中，通过曝光将图案转移到光刻胶上。

3. 腐蚀：使用化学腐蚀方法，将未被光刻胶保护的晶圆表面材料腐蚀掉，形成所需的电子元件结构。

4. 清洗和检测：清洗掉残留的光刻胶和腐蚀产物，并对制造出的电子元件进行检测和质量控制。

晶圆28纳米制程相对于较早的制程，如45纳米或65纳米制程，具有更高的集成度和更小的尺寸。由于电子元件尺寸的缩小，晶圆28纳米制程可以实现更高的性能和更低的功耗。这种制程技术广泛应用于各种领域，如计算机处理器、存储器、通信芯片等。

总之，晶圆28纳米制程是一种集成电路制造技术，通过在晶圆上制造出尺寸为28纳米的微小电子元件，实现了更高的性能和更低的功耗。